NTMSD2P102LR2
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NTMSD2P102LR2
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | FETKY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 710mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | NTMSD2P102LR2OS |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 2500 pcs$0.518
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