NTMSD2P102LR2
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NTMSD2P102LR2
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC |
| Séries | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 710mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | NTMSD2P102LR2OS |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 2500 pcs$0.518
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