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NTMSD2P102LR2

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NTMSD2P102LR2

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónMOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSContiene plomo / RoHS no conforme
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SOIC
Serie FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 710mW (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres NTMSD2P102LR2OS
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción detallada P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)

NTMSD2P102LR2

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Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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