NTMSD2P102LR2
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NTMSD2P102LR2
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
Serie | FETKY™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 710mW (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | NTMSD2P102LR2OS |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 2500 pcs$0.518
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