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NTMSD2P102LR2

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NTMSD2P102LR2

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 비 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±10V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-SOIC
연속 FETKY™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
전력 소비 (최대) 710mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 NTMSD2P102LR2OS
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 750pF @ 16V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET 유형 P-Channel
FET 특징 Schottky Diode (Isolated)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A (Ta)

NTMSD2P102LR2

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참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:18775
  • 2500 pcs$0.518

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