NTMSD2P102LR2
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NTMSD2P102LR2
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 710mW (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | NTMSD2P102LR2OS |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 2500 pcs$0.518
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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