NTD30N02G
NTD30N02G
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | DPAK |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 14.5 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 75W (Tj) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 20V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 24V |
Descrição detalhada | N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
RFQ |
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