NTD30N02G
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NTD30N02G
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tj) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 24V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
| RFQ | |
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