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NTD30N02G

NTD30N02G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD30N02G

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 14.5 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대) 75W (Tj)
포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 24V
상세 설명 N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Ta)

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