NTD30N02G
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NTD30N02G
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DPAK |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 75W (Tj) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 24V |
| Descripción detallada | N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
| RFQ | |
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