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NTD30N02G

NTD30N02G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD30N02G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 24V 30A DPAK
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max) 75W (Tj)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24V
detaillierte Beschreibung N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta)

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Einführung von NTD30N02G

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