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NTD30N02G

NTD30N02G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD30N02G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET N-CH 24V 30A DPAK
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 75W (Tj)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 24V
Description détaillée N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta)

NTD30N02

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