NTD30N02G
NTD30N02G
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DPAK |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tj) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 20V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 24V |
Description détaillée | N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30A (Ta) |
RFQ |
Citation requise
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