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FDI025N06

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FDI025N06

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoMOSFET N-CH 60V 265A TO-262
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor I2PAK (TO-262)
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 395W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14885pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 226nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 265A (Tc)

FDI025N06

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:195
  • 1 pcs$3.36
  • 200 pcs$1.301
  • 500 pcs$1.256
  • 1000 pcs$1.233

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