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FDI025N06

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FDI025N06

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술MOSFET N-CH 60V 265A TO-262
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 I2PAK (TO-262)
연속 PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.5 mOhm @ 75A, 10V
전력 소비 (최대) 395W (Tc)
포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14885pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 226nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 265A (Tc)

FDI025N06

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:195
  • 1 pcs$3.36
  • 200 pcs$1.301
  • 500 pcs$1.256
  • 1000 pcs$1.233

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