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FDI025N06

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FDI025N06 is warrantied and traceable.

FDI025N06

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明MOSFET N-CH 60V 265A TO-262
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.5 mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大) 395W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 14885pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 226nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 265A (Tc)

FDI025N06

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:195
  • 1 pcs$3.36
  • 200 pcs$1.301
  • 500 pcs$1.256
  • 1000 pcs$1.233

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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