FDI025N06
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FDI025N06
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I2PAK (TO-262) |
| Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 395W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14885pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 226nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 265A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$3.36
- 200 pcs$1.301
- 500 pcs$1.256
- 1000 pcs$1.233
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