FDI025N06
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FDI025N06
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 395W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14885pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 226nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 265A (Tc) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$3.36
- 200 pcs$1.301
- 500 pcs$1.256
- 1000 pcs$1.233
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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