FDI025N06
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FDI025N06
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 395W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14885pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 226nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 265A (Tc) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$3.36
- 200 pcs$1.301
- 500 pcs$1.256
- 1000 pcs$1.233
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