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FDI025N06

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FDI025N06

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneMOSFET N-CH 60V 265A TO-262
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 395W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14885pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 226nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 265A (Tc) 395W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 265A (Tc)

FDI025N06

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:195
  • 1 pcs$3.36
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