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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN4910,LF

RN4910,LF

RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN4910,LF

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescriçãoTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor US6
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Power - Max 200mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes RN4910,LF(CB
RN4910,LF(CT
RN4910LF(CTTR
RN4910LF(CTTR-ND
RN4910LFTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 200MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

RN4910

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:329645
  • 3000 pcs$0.059

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