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RN4910,LF

RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN4910,LF

fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescrizioneTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore US6
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 200mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi RN4910,LF(CB
RN4910,LF(CT
RN4910LF(CTTR
RN4910LF(CTTR-ND
RN4910LFTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

RN4910

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:329645
  • 3000 pcs$0.059

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