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RN4910,LF

RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN4910,LF is warrantied and traceable.

RN4910,LF

メーカーToshiba Semiconductor and Storage
説明TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ US6
シリーズ -
抵抗器ベース(R2) -
抵抗器 - ベース(R1) 4.7 kOhms
電力 - 最大 200mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前 RN4910,LF(CB
RN4910,LF(CT
RN4910LF(CTTR
RN4910LF(CTTR-ND
RN4910LFTR
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 200MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

RN4910

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:329645
  • 3000 pcs$0.059

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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