RN4910,LF
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RN4910,LF
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descripción | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo | US6 |
| Serie | - |
| Resistor - Base del emisor (R2) | - |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potencia - Max | 200mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | RN4910,LF(CB RN4910,LF(CT RN4910LF(CTTR RN4910LF(CTTR-ND RN4910LFTR |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 3000 pcs$0.059
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