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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2601(TE85L,F)

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescriçãoTRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SM6
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Power - Max 300mW
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete SC-74, SOT-457
Outros nomes RN2601(TE85LF)CT
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 200MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

RN2601-06

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:71616
  • 1 pcs$0.678
  • 10 pcs$0.487
  • 25 pcs$0.378
  • 100 pcs$0.286
  • 250 pcs$0.203
  • 500 pcs$0.162
  • 1000 pcs$0.124

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