RN2601(TE85L,F)
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RN2601(TE85L,F)
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descripción | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo | SM6 |
| Serie | - |
| Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potencia - Max | 300mW |
| embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | SC-74, SOT-457 |
| Otros nombres | RN2601(TE85LF)CT |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.678
- 10 pcs$0.487
- 25 pcs$0.378
- 100 pcs$0.286
- 250 pcs$0.203
- 500 pcs$0.162
- 1000 pcs$0.124
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