RN2601(TE85L,F)
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RN2601(TE85L,F)
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SM6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 300mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
| Andere Namen | RN2601(TE85LF)CT |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.678
- 10 pcs$0.487
- 25 pcs$0.378
- 100 pcs$0.286
- 250 pcs$0.203
- 500 pcs$0.162
- 1000 pcs$0.124
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von RN2601(TE85L,F)
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