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RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2601(TE85L,F)

メーカーToshiba Semiconductor and Storage
説明TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SM6
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 4.7 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms
電力 - 最大 300mW
パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース SC-74, SOT-457
他の名前 RN2601(TE85LF)CT
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 200MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 30 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

RN2601-06

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:71616
  • 1 pcs$0.678
  • 10 pcs$0.487
  • 25 pcs$0.378
  • 100 pcs$0.286
  • 250 pcs$0.203
  • 500 pcs$0.162
  • 1000 pcs$0.124

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