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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1904,LF(CT

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescriçãoTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor US6
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Power - Max 200mW
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)CT-ND
RN1904LF(CTCT
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 250MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

RN1901-06

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:2445
  • 1 pcs$0.478
  • 10 pcs$0.436
  • 25 pcs$0.314
  • 100 pcs$0.244
  • 250 pcs$0.153
  • 500 pcs$0.131
  • 1000 pcs$0.089

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