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RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1904,LF(CT

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
BeschreibungTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse US6
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms
Leistung - max 200mW
Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)CT-ND
RN1904LF(CTCT
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

RN1901-06

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:2445
  • 1 pcs$0.478
  • 10 pcs$0.436
  • 25 pcs$0.314
  • 100 pcs$0.244
  • 250 pcs$0.153
  • 500 pcs$0.131
  • 1000 pcs$0.089

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