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RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1904,LF(CT

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescripciónTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo US6
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potencia - Max 200mW
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)CT-ND
RN1904LF(CTCT
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

RN1901-06

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:2445
  • 1 pcs$0.478
  • 10 pcs$0.436
  • 25 pcs$0.314
  • 100 pcs$0.244
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