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RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1904,LF(CT

fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescrizioneTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore US6
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 200mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)CT-ND
RN1904LF(CTCT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

RN1901-06

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:2445
  • 1 pcs$0.478
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