RN1904FE,LF(CT
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RN1904FE,LF(CT
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Descripción | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo | ES6 |
| Serie | - |
| Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Potencia - Max | 100mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RN1904FE(T5L,F,T) RN1904FE(T5LFT)TR RN1904FE(T5LFT)TR-ND RN1904FELF(CTTR |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 4000 pcs$0.076
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