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RN1904FE,LF(CT

RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1904FE,LF(CT

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescriçãoTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor ES6
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Power - Max 100mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes RN1904FE(T5L,F,T)
RN1904FE(T5LFT)TR
RN1904FE(T5LFT)TR-ND
RN1904FELF(CTTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 250MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

RN1901FE-06FE

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:3645
  • 4000 pcs$0.076

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