SG2013J-883B
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SG2013J-883B
| Fabricante | Microsemi |
|---|---|
| Descrição | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Contém chumbo / RoHS não compatível |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Tipo transistor | 7 NPN Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 16-CDIP |
| Série | - |
| Power - Max | - |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | - |
| Outros nomes | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição | - |
| Descrição detalhada | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$88.238
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Palavras-chave de SG2013J-883B
- Microsemi SG2013J-883B
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