SG2013J-883B
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SG2013J-883B
| fabbricante | Microsemi |
|---|---|
| Descrizione | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Tipo transistor | 7 NPN Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore | 16-CDIP |
| Serie | - |
| Potenza - Max | - |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | - |
| Altri nomi | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza - transizione | - |
| Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 600mA |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$88.238
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Parole chiave di SG2013J-883B
- Microsemi SG2013J-883B
- Scheda dati SG2013J-883B
- Foglio dati SG2013J-883B
- Foglio dati PDF SG2013J-883B
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- Immagine SG2013J-883B
- Parte SG2013J-883B
- Microsemi SG2013J-883B
- Microsemi Analog Mixed Signal Group SG2013J-883B
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