SG2013J-883B
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SG2013J-883B
| Fabricante | Microsemi |
|---|---|
| Descripción | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
| Paquete del dispositivo | 16-CDIP |
| Serie | - |
| Potencia - Max | - |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | - |
| Otros nombres | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frecuencia - Transición | - |
| Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max) | - |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 600mA |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$88.238
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Introducción de SG2013J-883B
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Palabras claves de SG2013J-883B
- Microsemi SG2013J-883B
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