SG2013J-883B
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SG2013J-883B
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| Transistor-Typ | 7 NPN Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse | 16-CDIP |
| Serie | - |
| Leistung - max | - |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | - |
| Andere Namen | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 900 @ 500mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 600mA |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$88.238
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von SG2013J-883B
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- Microsemi Commercial Components Group SG2013J-883B
- Microsemi Consumer Medical Product Group SG2013J-883B
- Microsemi Corporation SG2013J-883B
- Microsemi HI-REL [MIL] SG2013J-883B
- Microsemi Power Management Group SG2013J-883B
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