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SG2013J-883B

SG2013J-883B
Microsemi

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SG2013J-883B

メーカーMicrosemi
説明TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態リード/ RoHS非対応
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 1.9V @ 600µA, 500mA
トランジスタ型式 7 NPN Darlington
サプライヤデバイスパッケージ 16-CDIP
シリーズ -
電力 - 最大 -
パッケージング Tube
パッケージ/ケース -
他の名前 1259-1108
1259-1108-MIL
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
周波数 - トランジション -
詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 900 @ 500mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大） -
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 600mA

SG2000

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:257
  • 1 pcs$88.238

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