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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3911DV-T1-E3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-TSOP
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power - Max 830mW
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes SI3911DV-T1-E3CT
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.8A
Número da peça base SI3911

SI3911DV

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