SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Power - Max | 830mW |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Outros nomes | SI3911DV-T1-E3CT |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.8A |
Número da peça base | SI3911 |
RFQ |
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