SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 450mV @ 250µA (Min) |
제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
전력 - 최대 | 830mW |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
다른 이름들 | SI3911DV-T1-E3CT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A |
기본 부품 번호 | SI3911 |
RFQ |
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