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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3911DV-T1-E3

fabbricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescrizioneMOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Potenza - Max 830mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi SI3911DV-T1-E3CT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A
Numero di parte base SI3911

SI3911DV

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