SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Potenza - Max | 830mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Altri nomi | SI3911DV-T1-E3CT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A |
Numero di parte base | SI3911 |
RFQ |
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