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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3911DV-T1-E3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescripciónMOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 450mV @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo 6-TSOP
Serie TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Potencia - Max 830mW
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres SI3911DV-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción detallada Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A
Número de pieza base SI3911

SI3911DV

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