SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
VGS (th) (Max) @Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Potencia - Max | 830mW |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Otros nombres | SI3911DV-T1-E3CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A |
Número de pieza base | SI3911 |
RFQ |
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