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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MUN5114DW1T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Power - Max 250mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes MUN5114DW1T1G-ND
MUN5114DW1T1GOSTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base MUN51**DW1T

MUN5114DW1, NSBA114YDxx

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:27550
  • 10 pcs$0.045
  • 100 pcs$0.04
  • 300 pcs$0.037
  • 3000 pcs$0.035
  • 6000 pcs$0.034
  • 9000 pcs$0.033

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