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MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MUN5114DW1T1G

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 250mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi MUN5114DW1T1G-ND
MUN5114DW1T1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base MUN51**DW1T

MUN5114DW1, NSBA114YDxx

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:27550
  • 10 pcs$0.045
  • 100 pcs$0.04
  • 300 pcs$0.037
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