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MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MUN5114DW1T1G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 47 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 10 kOhms
電力 - 最大 250mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前 MUN5114DW1T1G-ND
MUN5114DW1T1GOSTR
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 40 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション -
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA
ベース部品番号 MUN51**DW1T

MUN5114DW1, NSBA114YDxx

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:27550
  • 10 pcs$0.045
  • 100 pcs$0.04
  • 300 pcs$0.037
  • 3000 pcs$0.035
  • 6000 pcs$0.034
  • 9000 pcs$0.033

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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