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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MUN5114DW1T1G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Leistung - max 250mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen MUN5114DW1T1G-ND
MUN5114DW1T1GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer MUN51**DW1T

MUN5114DW1, NSBA114YDxx

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:27550
  • 10 pcs$0.045
  • 100 pcs$0.04
  • 300 pcs$0.037
  • 3000 pcs$0.035
  • 6000 pcs$0.034
  • 9000 pcs$0.033

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Einführung von MUN5114DW1T1G

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