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MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MUN5114DW1T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 250mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres MUN5114DW1T1G-ND
MUN5114DW1T1GOSTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base MUN51**DW1T

MUN5114DW1, NSBA114YDxx

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:27550
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  • 100 pcs$0.04
  • 300 pcs$0.037
  • 3000 pcs$0.035
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