MIEB101H1200EH
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MIEB101H1200EH
| Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|
| Descrição | IGBT MODULE 1200V 183A QUAD |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | E3 |
| Série | - |
| Power - Max | 630W |
| Caixa / Gabinete | E3 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC Thermistor | No |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Tipo de IGBT | - |
| Descrição detalhada | IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3 |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 183A |
| Configuração | Full Bridge Inverter |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 5 pcs$124.646
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