Magyarország

Válasszon nyelvet

EnglishDeutschFrançaisрусский한국의ItaliaNederlandespañolPortuguêsMagyarországDanskΕλλάδαpolskiPilipinoČeštinaTiếng ViệtMelayuMaoriSvenskaSuomiУкраїнаromânescSlovenija
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - IGBT-modulok > MIEB101H1200EH

MIEB101H1200EH

Buy with confidence from

Suntronic.org

MIEB101H1200EH is warrantied and traceable.

MIEB101H1200EH

GyártóIXYS Corporation
LeírásIGBT MODULE 1200V 183A QUAD
KategóriaDiszkrét félvezető termékek
Ólommentes állapot / RoHS állapotÓlommentes / RoHS megfelelő
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Szállító eszközcsomag E3
Sorozat -
Teljesítmény - Max 630W
Csomagolás / tok E3
Üzemi hőmérséklet -40°C ~ 125°C (TJ)
NTC termisztor No
Szerelési típus Chassis Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL) 1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Bemenet Standard
IGBT típus -
Részletes leírás IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3
Aktuális - Collector Cutoff (Max) 300µA
Áram - kollektor (Ic) (Max) 183A
Configuration Full Bridge Inverter

MIEB101H1200EH

RFQ

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron:170
  • 5 pcs$124.646

A fenti árak nem tartalmazzák az adókat és a szállítási díjakat. A pontos árat a végső ajánlat hatálya alá tartozik

Ajánlatkérés

Rendelési szám
Mennyiség
Kapcsolattartó neve
Vállalat
Email
Hozzászólások

Az MIEB101H1200EH bemutatása

Szolgálhatunk MIEB101H1200EH-t, felhasználhatjuk az MIEB101H1200EH PIRCE és az átfutási idő kérésére.A rendelkezésre álló elektronikus alkatrészek 3+ millió soros tételével rövid átfutási idő alatt szállíthat, több mint 250 ezer alkatrész-számú elektronikus alkatrész-számú raktáron található, amely tartalmazza az MIEB101H1200EH cikkszámot. Az MIEB101H1200EH ára és átfutási ideje a mennyiségtől függőenszükséges, a rendelkezésre állás és a raktárhely.

MIEB101H1200EH kulcsszavak