MIEB101H1200EH
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MIEB101H1200EH
| Hersteller | IXYS Corporation |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT MODULE 1200V 183A QUAD |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Supplier Device-Gehäuse | E3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 630W |
| Verpackung / Gehäuse | E3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC-Thermistor | No |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 7.43nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| detaillierte Beschreibung | IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3 |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 183A |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 5 pcs$124.646
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Einführung von MIEB101H1200EH
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