MIEB101H1200EH
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MIEB101H1200EH
| Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|
| Descripción | IGBT MODULE 1200V 183A QUAD |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Paquete del dispositivo | E3 |
| Serie | - |
| Potencia - Max | 630W |
| Paquete / Cubierta | E3 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| termistor NTC | No |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Tipo de IGBT | - |
| Descripción detallada | IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3 |
| Corriente - corte del colector (Max) | 300µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 183A |
| Configuración | Full Bridge Inverter |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 5 pcs$124.646
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Introducción de MIEB101H1200EH
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