MIEB101H1200EH
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MIEB101H1200EH
| Fabricant | IXYS Corporation |
|---|---|
| La description | IGBT MODULE 1200V 183A QUAD |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Package composant fournisseur | E3 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 630W |
| Package / Boîte | E3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC thermistance | No |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| type de IGBT | - |
| Description détaillée | IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 183A 630W Chassis Mount E3 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 300µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 183A |
| Configuration | Full Bridge Inverter |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 5 pcs$124.646
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